8月20日下午，湖北省召開「決勝收官『十四五』謀篇佈局『十五五』」系列新聞發佈會「科技創新篇」，湖北九峰山實驗室副主任吳瓊介紹了實驗室在推動科技創新與產業創新融合發展方面取得的成果。

    在集成光電領域，湖北九峰山實驗室成功突破全球領先的8英寸矽光薄膜鈮酸鋰光電集成技術，單片集成光電收發，帶寬提升5倍，為全球集成度最高的光電晶片，支撐AI算力與數據中心升級。同時實驗室也誕生了全球領先的矽基異質集成晶片出光技術，構建光電子集成晶片領域的優勢。

    在下一代通信領域，超前佈局以氮化鎵材料為核心的研究，已從材料、器件到產業應用取得一系列突破性成果。實驗室在國際上首次成功研製8英寸矽基氮極性氮化鎵襯底，建成全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平台，並且基於自主研發的氮化鎵（GaN）器件，成功構建起動態遠距微波無線傳能系統，在20米範圍內實現對無人機的動態無線供能示範驗證。以上成果填補了國內在該領域的技術空白，將為我國5G/6G通信、衛星通信、雷達系統等領域帶來革命性突破。

    實驗室充分發揮科研平台的吸附力，以共性技術平台為依託，與襯底材料、裝備、晶片設計、器件模組廠商形成深度協同，同時橫向輻射帶動高速光通信、下一代通信、衛星導航、新能源汽車、新型顯示等戰略產業發展。運營兩年多來，實驗室已吸引30多家化合物半導體相關企業在周圍聚集，總估值超過百億元，全球產業合作夥伴已達570家。

    面向「十五五」，九峰山實驗室將持續強化技術引領，加快化合物半導體前沿技術研發，鞏固技術高地優勢；升級建設全球化合物半導體中試線，加速科技成果轉化；深化產業鏈協同，全面助力國產裝備、材料、EDA等關鍵環節突破，構建完整產業生態，形成產業鏈聯動優勢。（記者 鄒慧 實習生 童語菲）