9月20日，長鑫存儲在世界製造業大會上宣布第五代DRAM技術平台（以下簡稱「G5平台」）實現量產，同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X芯片。
長鑫存儲表示，依託創新的四重曝光技術把內存陣列的有源區半間距微縮至11.95納米，存儲密度較上一代提升50%以上，工藝水平直逼全球頂尖製程。通過變革工藝流程、採用新材料，存儲電容深寬比達45:1。開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6762納米。
本次大會同步展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均為24GB，較上一代同類型產品提升50%，分別採用496Ball、245Ball封裝規格，可適配中高端智能手機、便攜式消費電子等不同場景需求，目前均已進入規模量產階段。
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