韓國記憶晶片廠商SK海力士宣布，將斥資54.3萬億韓圜（約3024.5億港元）興建動態隨機存取記憶體（DRAM）及快閃記憶體（NAND）廠房，以應對人工智能記憶體需求持續增長。
該集團將分別在龍仁和清州新建晶圓廠。龍仁「Y2」晶圓廠投資35.2萬億韓圜，總建築面積約113萬平方米，將作為DRAM生產基地，主要生產HBM等新一代DRAM產品，預期明年7月開工，2029年6月啟用首個無塵室。目前Y1晶圓廠建設進展順利，預計明年2月啟用首個無塵室。
清州「M17」晶圓廠投資19.1萬億韓圜，總建築面積約68萬平方米，計劃明年2月開工，2028年12月啟用首個無塵室，投資期持續至2031年4月。
據市場調研機構Omdia預測，2025年至2030年，DRAM和NAND快閃記憶體市場需求年均增速將達19%。
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