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合肥新站高新區系列報道之十一:政產學研深度融合 打通最後一公裏

2017-11-22
来源:香港商報網

  【香港商報網訊】2016年9月,合肥彩虹藍光科技有限公司與北京大學寬緊帶半導體研究中心牽手合作,成立了協同創新中心。當時代表北京大學寬禁帶半導體中心簽約的沈波教授,現在是協同創新中心的主任、北京大學理學部副部長、國家863計劃“第三代半導體”重點專項總體專家組組長,協同創新中心成立之後,沈波就帶領著他的團隊來到合肥,開始了第三代半導體技術的研發生產。在合肥新站高新區的有力對接和服務下,這條政產學研協同創新之路越走越寬,越走越遠。

  一年來,協同創新中心高效推進實驗室的組建和技術研發,三大重點課題項目相繼取得重大突破,相關成果通過由中科院院士主持的專家鑒定,入選三項國家“戰略性先進電子材料”重點專項,多項重要研發成果,已從實驗室逐步走向生產線,並達到國際先進水平!

  在北大博士團隊實驗室成果基礎上,利用彩虹藍光產業化平台,成功開發出基於納米圖形襯底(NPSS)上生長的AlN外延材料,晶體質量世界先進水平,實現了深紫外LED的全結構開發,內量子效率等技術指標達到世界第二。GaN基功率器件是國家中長期科技技術發展規劃的重點支持產品,主要應用於IT、通訊、高鐵、軍事等電力電子和微波射頻領域,其高效節能特性可在推廣後實現每年萬億度節電量,極大地提高我國能源利用效率。協同創新中心在國內首次實現6吋矽襯底上的GaN外延材料生長,材料厚度、翹曲、遷移率等性能指標達到國際先進水平。SiC襯底的GaN射頻功率材料與器件,主要面向5G通訊和軍用雷達領域,是先進技術軍民融合應用的典型案例。

  合肥彩虹藍光不斷加速自主研發,不斷擴大產業規模、不斷提升盈利能力。同時,在專家委員會指導下,協同創新中心以市場為導向,積極推動技術成果轉化,謀劃實施GaN功率電子外延材料和4英吋SiC襯底GaN功率芯片生產線兩個產業化項目,並由彩虹藍光公司直接進行投資,一舉打通了“實驗室——工廠——市場”的最後一公裏,實現高效孵化和精准對接。今年1-9月,實現產值6億元,銷售收入5億元,生產經營持續向好,企業實現全面盈利!

  依托合肥彩虹藍光-北大協同創新平台建設,目前合肥市與北京大學、中國電子集團正在逐步擴大合作,力爭在“十三五”末,把研發平台升級為合肥市與北京大學共建的“合肥-北大第三代半導體研究院”!合肥彩虹藍光搶抓半導體照明革命的市場機遇,著眼於第三代寬禁帶半導體產品的研發,逐步實現LED全產業鏈的延伸。 倪奇

[责任编辑:朱剑明 ]
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